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[기업] 삼성전자 TSMC 제친다…삼성 美 공장 세계최초 초격차 기술 적용되나

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공의애 기자 작성일2021-09-14 08:22

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삼성전자 미국 텍사스 오스틴 반도체 공장 전경. [사진 제공 = 삼성전자]


12일(현지시간) 텍사스시그널 등 텍사스 지역신문에 따르면 삼성전자 미국 법인은 지난 8일 텍사스 주 윌리엄슨 카운티와 테일러시 당국과의 합동회의에서 '반도체 산업에서 가장 진보한 기술'이라는 문구를 최종 결의안에 넣기로 합의했다.

이에 대해 텍사스시그널은 "3나노급 차세대 반도체 공정이 테일러시에 들어설 것으로 예상할 수 있다"면서 "삼성전자가 테일러시를 선택하면 이곳은 미국에서 가장 기술이 발전한 반도체 공정의 본거지가 될 수 있다"고 설명했다.

삼성전자의 신규 투자가 이 같이 확정되면 글로벌 파운드리 1위 업체 대만 TSMC와의 기술 경쟁은 한층 격화될 전망이다. 현재 인텔의 최신 미세공정은 10나노지만, TSMC와 삼성전자는 5나노 공정을 놓고 경쟁하고 있다. 내년 하반기에는 3나노를 적용한 첫 반도체 양산을 두고 삼성전자와 TSMC가 경쟁할 것으로 예상된다.

일부 외신에 따르면 TSMC는 이미 3나노 공정 양산 준비를 진행 중이다. 앞서 TSMC는 애플, 인텔과 3나노 제품 테스트를 시작했고 내년 하반기 양산이 유력하다. 삼성전자 역시 내년 하반기 중 3나노급 공정을 통한 반도체칩 양산에 나설 전망이다.

삼성전자는 170억 달러(약 20조원)를 투입하는 미국 내 두 번째 파운드리 공장 부지 선정을 위해 테일러 시와 협상을 벌이고 있다. 지난 8일 테일러시와 윌리엄슨 카운티는 합동 회의를 열고 만장일치로 삼성전자에 세금 혜택을 제공하는 결의안 내용을 가결했다.

3나노는 5나노 공정보다 더 진일보한 기술이다. 3나노로 제작한 칩은 5나노에 비해 전력 소비가 30% 더 줄고 성능은 15% 향상된다. 현재 3나노를 구현한 회사는 없다. 삼성과 TSMC는 내년 최초 타이틀을 두고 경쟁 중이다.

[국정일보 윤원구 기자] yy4919@naver.com


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